不是美国商务部官员办事拖拉，而是对出口一条180nm制程工艺的半导体生产线给pGcA有些分歧。

　　自从GcA和尼康公司研发的90nm制程工艺的光刻机先后量产，财大气粗的INtEL、Ibm、tI、Amd和hp近水楼台先得月，先后定购了一条价值25亿美元的90nm制程工艺的半导体生产线。

　　一条180nm制程工艺的半导体生产线从22亿美元降到20亿美元，bSEc如今也能量产250nm制程工艺的光刻机，孙健将40台250nm制程工艺光刻机的生产订单交给bSEc。

　　这条180nm制程工艺的半导体生产线规划安装20台GcA生产的180nm制程工艺的光刻机和bSEc生产的40台250nm制程工艺的光刻机，既能节约成本，光刻效果也不受影响。

　　bSEc和GcA都是孙健控股的公司，作为两家公司的法人兼董事长，手掌手背都是肉。

　　去年11月15日，中美两国签订了中国加入世贸组织的双边协定，中国去年的Gdp达到1.19万亿美元，只占美国Gdp的12.1%、日本的24.9%，按照全球经济总量的排名来看，中国位居全球第七，排在意大利之后。

　　美国的头号对手还是全球经济老二的日本，继续打压日本的半导体产业。

　　虽然鲲鹏软件集团在全球软件市场占据20%的市场份额，但还没有对美国软件产业造成实际性的威胁，美国商务部也不容许微软公司垄断美国软件市场。

　　美国曙光投资公司控股的GcA成了同尼康半导体公司并驾齐驱的光刻机龙头企业，研发的90nm制程工艺光刻机已经量产，但在65nm制程工艺上都遇到了无法克服的困难。

　　尼康光刻机研究院和GcA光刻机研究院采用ArF193nm光源，研发一年多，毫无进展。

　　业界普遍认为193nm光刻无法延伸到65nm制程工艺，而157nm将成为主流光源技术，但157nm光刻技术同样遭遇到了来自光刻机透镜的巨大挑战。

　　业界对下一代光刻机的发展提出了两种路线，一是以尼康和佳能等日本光刻机半导体企业，主张开发波长更低的157nm的F2准分子激光做为光源；二是GcA和英特尔发起建立了EUVLLc联盟，采用极紫外光源来提供波长更短的光源。

　　EUVLLc联盟中除了GcA、英特尔和牵头的美国能源部以外，还有摩托罗拉、Amd、Ibm，以及能源部下属三大国家实验室：劳伦斯利弗莫尔国家实验室、桑迪亚国家实验室和劳伦斯伯克利实验室。

　　GcA光刻机半导体研究院院长兼任光刻机光源研究所所长汤普森院士从1993年7月开始研发EUV，GcA前后投资了1.5亿美元，也没有取得成功，1997年7月自动放弃了研究。

　　1997年10月，汤普森院士出面邀请英特尔和美国能源部共同开发EUV。

　　前世，英特尔邀请尼康和ASmL加入EUVLLc联盟，但美国政府反对尼康加入，ASmL做出多重承诺后才得到这个千载难遇的机会，资金到位，技术入场，人才云集，EUVLLc联盟也花了近20年的时间，第一台可量产的ASmLEUV样机才正式发布。

　　请收藏：https://m.jdktax.com

（温馨提示：请关闭畅读或阅读模式，否则内容无法正常显示）